，TSMC在2022年的技術研討會上介紹了未來先進工藝的信息N3工藝將于2022年量產，隨后是N3E，N3P，N3X，n 2工藝將于2025年量產
TSMC首先推出了N3的FINFLEX，包括3—2鰭，2—2鰭和2—1鰭布局，具有以下特點:
3—2鰭–最快的時鐘頻率和最高的性能可滿足最苛刻的計算要求。
2—2鰭–高效性能，性能，能效和密度之間的良好平衡
2—1翅片–超高能效，最低功耗，最低泄漏和最高密度
TSMC表示，FINFLEX擴展了3納米系列半導體技術的產品性能，能效和密度的范圍，允許芯片設計師使用相同的設計工具為同一芯片上的每個關鍵功能塊選擇最佳選項。
在N2方面，TSMC表示，這是第一個使用環繞柵極晶體管的節點，而不是目前的FinFET 新的制造工藝將提供全面的性能和功率優勢相同功耗下，N2比N3E快10 ~ 15%在相同速度下，功耗降低25~30%可是，與N3E相比，N2僅增加了約1.1倍的芯片密度
N2工藝帶來兩項重要創新:納米芯片晶體管和背面電源軌GAA納米芯片晶體管的溝道四面都被柵極包圍，減少了漏電，此外，它們的通道可以加寬以增加驅動電流并提高性能，也可以變窄以最大限度地降低功耗和成本為了給這些納米芯片晶體管提供足夠的電源，TSMC的N2使用了背面電源軌，TSMC認為這是后端工藝中電阻的最佳解決方案之一
本站了解到，TSMC已將N2技術定位于各種移動SOC，高性能CPU和GPU具體表現要等后續測試出來才能知道
鄭重聲明：此文內容為本網站轉載企業宣傳資訊，目的在于傳播更多信息，與本站立場無關。僅供讀者參考，并請自行核實相關內容。
|
