，蘭琪科技宣布，第一代DDR5內(nèi)存接口及模塊配套芯片已成功量產(chǎn)該系列芯片是DDR5內(nèi)存條的重要組成部分，包括注冊(cè)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器，數(shù)據(jù)緩沖器，串行檢測(cè)集線器，溫度傳感器和電源管理芯片，可為DDR5 RDIMM，LRIMM，UDIMM，SODIMM等內(nèi)存條提供整體解決方案
齊科技專(zhuān)注于內(nèi)存接口技術(shù)的研發(fā)此次推出的DDR5首款子內(nèi)存接口芯片RCD/DB支持最高速率4800Mbps，是DDR4最高速率的1.5倍接口電壓低至1.1V，能耗更低，采用創(chuàng)新的信號(hào)校準(zhǔn)協(xié)議和均衡技術(shù)，大大提高了內(nèi)存信號(hào)的完整性
本站了解到，與DDR4內(nèi)存條相比，DDR5內(nèi)存條在架構(gòu)上進(jìn)行了創(chuàng)新除了配置內(nèi)存顆粒和內(nèi)存接口芯片外，還需要搭配其他專(zhuān)用的配套芯片局域網(wǎng)技術(shù)首先引入了DDR5 PMIC，TS和SPD Hub三個(gè)支持芯片，可以為DDR5內(nèi)存模塊提供多路供電和管理，多點(diǎn)溫度檢測(cè)，I3C串行總線和路由
這些互補(bǔ)芯片與內(nèi)存接口芯片一起，幫助DDR5內(nèi)存模塊實(shí)現(xiàn)速度，容量，節(jié)能和可靠性的全面提升，滿足新一代服務(wù)器，臺(tái)式機(jī)和便攜式計(jì)算機(jī)對(duì)內(nèi)存系統(tǒng)的更高要求。
同時(shí)，劉表示，鑫還采用固件的二維訓(xùn)練模式，可以繪制出以地址線或數(shù)據(jù)線延遲為橫坐標(biāo)，參考電壓為縱坐標(biāo)的完整二維圖像，從而獲得更好的參考電壓和對(duì)應(yīng)的地址線或數(shù)據(jù)線延遲。鄭重聲明：此文內(nèi)容為本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載企業(yè)宣傳資訊，目的在于傳播更多信息，與本站立場(chǎng)無(wú)關(guān)。僅供讀者參考，并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。
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