，日本最大的半導體晶圓企業信越化學工業和從事 ATM 及通信設備的 OKI 公司日前宣布，其開發出了以低成本制造使用氮化鎵的功率半導體材料的技術。
據介紹，該技術可將制造成本降至傳統制法的十分之一以下。如果能夠量產，將有利于普及快速充電器等設備。
IT之家從官方新聞稿獲悉，信越化學工業和 OKI 開發的新技術可以在特有的 QST 基板上噴鎵系氣體，使晶體生長。信越化學工業的增厚晶體技術與 OKI 的接合技術相結合，從基板上只揭下晶體。晶體放在其他基板上作為功率半導體的晶圓使用。
圖源 OKI
信越化學工業表示，在 GaN 基板上使 GaN 晶體生長的制法不僅制造耗費時間，成品率還很差，成本高。新制法可以高效制造晶體，可以降低 9 成成本。與在矽基板上使 GaN 晶體生長的制法相比，不需要基板與晶體之間的絕緣層。加上晶體的厚膜化，可以通 20 倍大的電流。
信越化學工業透露，這一技術可以制造 6 英寸晶圓，希望在 2025 年增大到 8 英寸，今后還考慮向半導體廠商銷售技術等業務模式。
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