在5G規(guī)模商用，賦能行業(yè)的大趨勢下，備受業(yè)界關(guān)注的，UPmiddot，2021展銳線上生態(tài)峰會，正式拉開帷幕，峰會邀請了來自行業(yè)組織，科研專家，產(chǎn)業(yè)前沿等各領(lǐng)域的生態(tài)伙伴，打破邊界，攜手向上，共話數(shù)字生態(tài)的發(fā)展與創(chuàng)新。
在上午舉行的，5G UP產(chǎn)業(yè)生態(tài)峰會，上，臺積電中國區(qū)業(yè)務(wù)發(fā)展副總經(jīng)理陳平博士表示，半導(dǎo)體已經(jīng)成為現(xiàn)代智能化社會的基石，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必需品，而支撐5G，AI技術(shù)的則是半導(dǎo)體工藝技術(shù)，包括先進(jìn)工藝，先進(jìn)封裝等。
無論是5G終端，還是5G基站，或者是云計算，對芯片的共同需求是高能效比，高集成度對終端，能效決定了電池使用時間，而對5G基站，能效決定了運營的成本系統(tǒng)和應(yīng)用對能效比和集成度不斷提出的更高要求，推動集成電路工藝的不斷發(fā)展通過不斷地工藝微縮，我們得以不斷改進(jìn)芯片的性能，功耗和集成度
盡管技術(shù)上的挑戰(zhàn)越來越大，技術(shù)人員還是不懈地努力將微縮繼續(xù)向前延申目前業(yè)界最先進(jìn)的工藝是臺積電的5nm和4nm技術(shù)， 用于5G手機和高性能計算向前展望，3nm/2nm研發(fā)已是如火如荼，將于后面幾年面世
之前，集成電路制程工藝一直被光刻技術(shù)的限制所困擾但EUV技術(shù)突破將瓶頸徹底打通臺積電從7nm技術(shù)節(jié)點開始引入EUV技術(shù)，積累了大量的量產(chǎn)經(jīng)驗，目前該工藝已非常穩(wěn)定和成熟在此基礎(chǔ)上，臺積電進(jìn)一步改善和擴展EUV工藝，伴隨著高NA EUV的引入，2nm 及以下的圖形定義問題也將得到解決
伴隨著器件的微小化，晶體管器件結(jié)構(gòu)，材料特性等都需要有革命性的改變?yōu)榻鉀Q晶體管器件的短溝道問題，臺積電用FinFET晶體管取代了傳統(tǒng)的MOSFET平面晶體管當(dāng)器件進(jìn)一步縮小時，器件結(jié)構(gòu)將進(jìn)一步進(jìn)化到Nanosheet結(jié)構(gòu)雖然半導(dǎo)體行業(yè)在工藝微縮上不斷披荊斬棘，向前發(fā)展但伴隨著在數(shù)字化時代數(shù)據(jù)量的快速增加，單芯片SOC上的微縮已不足以滿足系統(tǒng)發(fā)展的需要SOC3D工藝的引入，使我們可以在SOC工藝的基礎(chǔ)大幅地擴展集成度，實現(xiàn)Chiplet
展望未來，在先進(jìn)工藝的發(fā)展上，臺積電總結(jié)出了三大趨勢:CMOS微縮持續(xù)發(fā)展和延申，3D系統(tǒng)集成成為先進(jìn)工藝的重要組成部分，在系統(tǒng)層面上軟硬件協(xié)同優(yōu)化設(shè)計已成為必須。
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