如何延續芯片行業的摩爾定律，一直是半導體公司所關注的焦點。
在12月11日至15日舉行的2021 IEEE國際電子器件會議期間，芯片巨頭英特爾公布多項尖端半導體開發前沿技術以推動摩爾定律，稱將在芯片封裝，功率器件和內存材料，尖端物理學三大領域進行創新。
目標是封裝中將密度提升10倍以上，將邏輯微縮提升30%至50%，并布局非硅基半導體英特爾方面表示
此前尖端半導體開發競爭的核心是芯片制程大小所謂制程，指的是芯片中晶體管線寬的大小，制程越小，單個芯片上就能容納越多的電路元件，芯片的性能越強，功耗越低目前芯片制程的領先產品為臺積電和三星量產的5納米芯片，兩家企業計劃在2025年啟動2納米芯片的量產美國IBM于5月宣布已成功進行2納米芯片的試制
在先進制程競爭中掉隊的英特爾也在加快推進研發，以期追上競爭對手但有觀點認為，晶體管數目大約每18個月便會增加一倍的摩爾定律目前已接近物理極限，且難以覆蓋成本這無疑加大了英特爾追趕的難度
英特爾要維持市場地位超越臺積電，拓展新思路成為關鍵，從芯片制造角度來看，將芯片疊加起來的3D堆疊技術的重要性日趨增加此前在設計上，英特爾將芯片分別負責功率，計算和存儲的部分以平面形式排列，但新技術嘗試以拼樂高積木的形式，將芯片以立體形式堆疊，通過先進封裝技術將晶體管制作為芯粒
Chiplet最近幾年成為芯片行業的關鍵詞傳統系統單芯片的做法是每一個組件放在單一裸晶上，功能越多，硅芯片尺寸越大Chiplet的特點是將大尺寸的多核心設計分散到個別微小裸芯片，如處理器，模擬組件，儲存器等，再用立體堆棧的方式，以封裝技術做成一顆芯片
英特爾稱，其新的3D堆疊，多芯片封裝技術Foveros Direct可以讓上下芯片之間的連接點密度提升10倍，而且每個連接點的間距小于10微米新的封裝方式在空間上提高芯片的晶體管密度，能在不縮小制程的情況下，將晶體管密度提升30%至50%，使摩爾定律重新生效可以說，英特爾研發團隊本次發表的研究成果中，最大的科技進步也是晶體管堆疊技術
芯片封裝技術以外，英特爾還將目光轉向供應和控制電力的功率半導體和內存材料，試圖探索芯片在硅以外的新方案據英特爾介紹，通過在300毫米的晶圓上首次集成氮化鎵基功率器件與硅基CMOS，實現了更高效的電源技術這為CPU提供低損耗，高速電能傳輸創造了條件，同時也減少了主板組件和空間
英特爾的另一項芯片研究技術成果也依賴于材料進步:利用鐵電材料性質的鐵電存儲器迎來新進展，有望成為手機，電腦內存中常用的DRAM存儲器下一代產品的關鍵材料。
FeRAM的特點是斷電后不會丟失信息，耐用性增強由于可在保存數據的情況下切斷電源，與現有存儲芯片領域常用的DRAM和SRAM存儲器相比，可大幅降低耗電量而且FeRAM也可實現以納秒為單位，與DRAM同等的高速運行
此前受限于所用鐵電物質特性的限制，該材料應用只局限于細分市場，但英特爾發布的成果顯示，其記錄了FeRAM材料高達2納秒的極短訪問時間和10億次循環范圍內的極高寫電阻，意味著FeRAM有望作為下一代嵌入式DRAM技術的可行方案。
在量子計算等尖端物理學領域，英特爾一方面基于嘗試提升硅基半導體的量子計算性能，同時也在開發能在室溫下進行高效，低功耗計算的新型器件。然而，CNET報道稱，帕特基爾辛格認為英特爾可以超越摩爾定律，這意味著它將超越蘋果在芯片設計方面的巨大領先優勢。。
該公司稱，正探索物理學領域的新概念以推動半導體技術，進展包括首例常溫磁電自旋軌道邏輯器件，自旋電子器件以及芯片封裝，功率器件和內存等其中英特爾與比利時微電子研究中心在自旋電子材料研究方面的合作，利用電子自旋原理進行信息的傳遞，處理與存儲，有望實現邏輯芯片和存儲器功能的整合
強化晶圓制造能力和追求先進工藝的路線，均需要堅實技術能力作為支撐，而這一次該公司技術團隊推出了一系列技術性武器，或將幫助英特爾在2025年后追上主要競爭對手保持競爭能力。
此前，英特爾的新業務進展遇阻，傳統業務也遭到打擊作為集芯片設計和生產為一體的IDM廠商，英特爾的先進工藝開發明顯落后于對手臺積電和三星在基辛格于今年初擔任英特爾首席執行官之后，推出一系列在2025年重新贏得優勢地位的商業發展規劃在戰略上，基辛格強化了競逐先進工藝節點的方向，并采取了對外開放晶圓代工產能，調整工藝節點命名方式等舉措此外，英特爾還在6月對組織架構進行了調整，新增兩名技術背景的高管
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