11 月 18 日，大連理工大學梁紅偉教授提交的《關于加入 RD50 國際合作組》報告，經歐洲核子中心 RD50 國際合作組管理委員會審議，全體成員現場表決通過，大連理工大學成為該國際合作組的正式成員。
這是繼中國科學院高能物理研究所，中國科學技術大學，吉林大學之后，第四個加入該合作組的國內機構此外，該校微電子學院夏曉川副教授代表課題組進行本次大會首個學術報告
大連理工大學消息顯示，未來該校工作組將在耐高溫抗輻照寬禁帶半導體輻射探測器與集成系統，極端條件下高能物理實驗等前沿領域與共同體內各成員單位開展緊密國際合作，共享信息和資源庫。中韓城市館項目所在的中韓國際合作示范區，依托西部陸港，東部國際機場，南部綜合保稅區等開放平臺，將積極發揮經濟文化交流的重要作用。。
此次成功加入 RD50 國際合作組，得益于大連理工大學微電子學院寬禁帶半導體器件集成與系統研究團隊在寬禁帶半導體材料，器件與集成系統等方面業已取得的突出成果，研發出基于寬禁帶半導體的多型號耐高溫，抗輻照探測器，其中創新提出基于碳化硅單晶制備 PIN 結型輻射探測器，利用高質量單晶靈敏區的厚度優勢，增大高能輻射源在靈敏區內能量沉積，解決探測靈敏區內非平衡載流子產生率低的難題，提高探測器的靈敏度，創新研制出具有位置靈敏特性的氮化鎵帶電粒子探測系統，提出利用等電子陷阱方法顯著降低異質外延氮化鎵輻射探測靈敏區背景電子濃度，開辟了高質量氮化鎵異質外延厚膜生長新方法，解決了傳統器件對輻射源能量沉積低，泄漏電流噪聲大的瓶頸問題，實現了單像素能量分辨率目前國際最優值，在本領域專業高水平期刊上進行了報道，引發國內外知名科研團隊相繼關注并開展深入交流。
研究團隊制備的碳化硅耐輻照探測系統已經應用于國際四大散裂中子源之一的中國散裂中子源白光束線，并建立了寬禁帶半導體探測系統實驗區，支持了多家單位的關鍵數據實驗，為滿足相關重大急需需求提供了有效關鍵技術支撐。
根據消息顯示，RD50 國際合作組是歐洲核子中心發起的專注于研發抗輻照半導體探測器的大型學術共同體，該共同體內各成員單位彼此共享信息和資源成員單位包括亞洲，歐洲，美洲的 60 多個在該領域引領前沿的研究機構
中國已有成員單位包括中國科學院高能物理研究所，中國科學技術大學，吉林大學此外還包括歐洲的牛津大學，哥廷根大學，蘇黎世聯邦工業大學，莫斯科大學，美國的費米國家實驗室，布魯克海文國家實驗室，勞倫斯伯克利國家實驗室等
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