2023年，受全球經濟環境和行業周期影響，以智能手機、PC、服務器等為代表的存儲市場需求持續不振。受此影響，海外存儲巨頭三星、SK海力士、美光凈利潤紛紛出現業績下滑，國內眾多存儲器公司也不可避免出現類似情況。
盡管存儲行業此前整體承壓，但行業曙光已現。有媒體報道，去年三季度末以來，三星、SK海力士等國際存儲廠均采取減產和削減資本開支等舉措，供給端邊際改善取得顯著成效。而隨著單位成本的降低，更進一步刺激了智能手機、PC等主要存儲應用市場的回暖，市場需求持續復蘇。此外，三星、美光、SK海力士此前已紛紛宣布DRAM或NANDFlash芯片價格上調，存儲芯片廠商盈虧平衡點或將加速到來。集邦咨詢分析認為，2024全DRAM和NAND價格有望連續四季看漲。
供給、需求、價格端共振下，存儲行業得以夯實周期底部，行業拐點加速形成。以三星為例，其2024年一季度營業利潤約為6.6萬億韓元，同比實現大幅增長，結束了自2022年三季度以來的連續下滑。反觀國內，以佰維存儲為例，該公司2023年財報與2024年一季報于4月30日同步披露。據其發布的2023年財報顯示，公司2023年實現營業總收入359,075.22萬元，同比增長20.27%；公司自去年四季度以來，積極開拓國內外一線客戶，疊加存儲器市場需求回升，四季度實現營業收入146,829.78萬元，同比增長83.46%，環比增長50.72%，同時毛利率環比回升11.19個百分點。另外，2024年第一季度，公司實現營業收入172,664.23萬元，同比增長305.80%，環比增長17.59%，毛利率環比增長15.40個百分點，實現凈利潤16,756.23萬元，同比增長232.97%，剔除股份支付后，同比增長300.69%。疊加近期存儲市場實現逆轉背景下，公司整體經營情況持續向好， 2024年全年表現值得期待。
而自去年發布“存儲賦能萬物智聯”企業使命以來，佰維存儲更制定了“5+2+X”戰略。據悉，該戰略從“五大應用市場”、“二次增長曲線”和“存算一體、新接口、新介質和先進測試設備等創新領域的探索開拓”三大維度，聚焦公司短中長期發展，借此佰維存儲將持續構建新質生產力，服務產業和國家戰略方向，同時也將驅動公司長期發展價值的進一步提升。
硬核技術實現自身高質量發展
國產化進程下凸顯發展潛能
年報顯示，佰維存儲專注半導體存儲器的研發設計、封裝測試、生產和銷售，主要產品為半導體存儲器，主要服務為先進封測服務，其中半導體存儲器按照應用領域不同又分為嵌入式存儲、PC存儲、工車規存儲、企業級存儲和移動存儲等，是國家級專精特新小巨人企業、國家高新技術企業，其產品廣泛應用于移動智能終端、PC、行業終端、數據中心、智能汽車、移動存儲等領域。
多年來，公司緊緊圍繞半導體存儲器產業鏈，構筑了研發封測一體化的經營模式，在存儲介質特性研究、固件算法開發、存儲芯片封測、測試研發、全球品牌運營等方面擁有強大核心競爭力，長期以來實現了高質量發展。2023年，佰維存儲聚焦芯片設計、固件開發、先進封測及芯片測試設備等領域進行技術攻關，并大力引進行業高精尖人才，研發投入力度持續加大。據2023年財報顯示，公司研發投入共計24,998.04萬元，較上年同期增加12,358.37萬元，增幅97.77%，占公司營業收入6.96%。截至2023年12月31日，公司共取得307項境內外專利和27項軟件著作權，其中專利包括95項發明專利、148項實用新型專利、64項外觀設計專利。2023年新增申請發明專利84項，新增授權發明專利56項，新增授權集成電路布圖設計1項。
憑借硬核技術實力，佰維存儲已擁有嵌入式存儲、固態硬盤(SATA/PCIe)、內存模組(SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM)、存儲卡(SD卡、CF卡、CFast卡、CFexpress卡、NM卡)等豐富產品梯隊，產品線包含NAND、DRAM存儲器的各個主要類別。此外，公司擁有從產品規劃、設計開發再到先進制造的全棧能力，并已搭建覆蓋全球主要市場的營銷網絡，具備面向全球市場進行產品推廣與銷售的強大能力。
從國產化角度來看，作為電子設備的最大生產國和最大消費國，我國是存儲芯片最大的終端使用地。然而，當前全球存儲市場仍被海外巨頭壟斷，DRAM和NAND主要由三星、SK海力士、美光等海外廠商掌控，目前國內存儲廠商市占率仍然較低，這就意味著我國存儲行業有著巨大的成長潛力與空間，國產化市場前景頗為廣闊。此外，據了解，佰維存儲這類具備綜合競爭優勢的國內存儲解決方案廠商，正在大力提升自主研發水平和產業化能力，并通過定增等方式呈現上行周期加碼態勢，后續伴隨國產化需求提升，勢必有望迎來良好的國產替代機遇，持續獲得增量市場空間。
存儲產業助力發展新質生產力
前瞻布局HBM+DDR5驅動長期發展
新質生產力，是實現中國式現代化和高質量發展的重要基礎。在新一輪科技革命和產業變革背景下，算力、數據成為關鍵生產要素，而數據存儲產業更成為了發展新質生產力的強勁引擎。
眼下，盡管消費端復蘇勢頭仍有待觀察，但去年以來，AI大模型帶來了算力需求的暴漲，使得越來越多的數據需要被存儲，生成式AI市場的迅速擴張推動了AI服務器內存需求的快速攀升。以英偉達為例，去年底公司推出搭載HBM3e內存的新一代圖形處理器，帶來了容量、帶寬和性能的全面升級。而去年至今，其市值更突破2萬億美元大關，成為生成式AI浪潮中實至名歸的大贏家，這無疑也表明了AI芯片在人工智能需求激增下已迎來大爆發。
公開資料顯示，HBM是一種基于3D堆疊工藝的DRAM內存芯片，具備更高帶寬、更多I/O數量、更低延時和低功耗，以及更小尺寸等諸多優點。據TrendForce研究數據顯示，2023-2025年HBM市場規模CAGR有望成長至40-45%以上，極具市場前景。而基于對高帶寬內存發展潛力的看好，據悉，海外存儲大廠SK海力士將在韓國投資超10億美元提高HBM封裝能力。業內人士指出，HBM突破了帶寬與內存容量瓶頸，存算一體有助于從根本解決“存儲墻”問題，特別是為GPU帶來了更快的并行數據處理速度，目前其已成為AI芯片主流內存解決方案，是兵家必爭之地。
佰維存儲此前在接受機構調研時表示，公司擬定增募資建設的晶圓級先進封測項目，可以構建HBM實現的封裝技術基礎。可以預見，后續伴隨公司項目投產，在生成式AI熱潮中，這無疑給予了市場更大想象空間。
此外，AI大模型的興起催生了海量算力需求，而數據處理量和傳輸速率大幅提升使得AI服務器對芯片內存容量和傳輸帶寬提出更高要求。根據IDC最新《中國企業級存儲市場跟蹤報告,2023》顯示,2023年中國企業級存儲市場規模達到66億美元。目前，佰維存儲已推出適用于服務器應用的企業級SSD、CXL 2.0 DRAM、RDIMM產品，正在進行市場推廣。
目前業內普遍認為，AI已是推動芯片行業實現快速增長的重要驅動力，特別是將拉動對存儲芯片需求的提升，同時AI等新興領域的持續增長，也將進一步加速推動存儲行業復蘇。因此，未來隨著DRAM、NAND價格持續回暖，疊加HBM和DDR5等高端產品市場需求攀升，存儲芯片領域公司有望持續受益。而佰維存儲緊抓AI發展與服務器升級所帶來的HBM和DDR5重大發展契機，同時積極在周期低點加強戰略備庫，加之其在研發投入、產品矩陣、市場開拓、供應鏈建設等方面的優勢，未來將充分受益行業復蘇，在夯實存儲主業基礎上，助力發展新質生產力，并有望借此開啟全新成長周期。
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