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美國最大的存儲芯片制造商美光科技周三宣布，該公司將在2023年裁員約10%，并停止發放獎金這再次表明，科技行業增長放緩正在影響就業
作為削減資本支出的一部分，據報道，美光將使用EUV光刻技術的1γ nm工藝DRAM推遲到2025年，232層之后的NAND節點也推遲了。
美光的1γ制造技術原定于2024年的某個時候推出，但由于美光必須在2023和2024財年減少新設備和DRAM位出貨量的支出，因此將不得不放緩其1β和1γ制造技術中DRAM的增長速度。
本站了解到，該公司最新的1β制造node—BIT的密度提高了35%，功率效率提高了15%，但這項技術仍然依賴于深紫外光刻技術。
相比之下，三星和SK海力士已經在其第四代10納米存儲技術的幾個層中使用了EUV光刻技術，并計劃進一步加強其在第五代10納米DRAM節點中的使用。
鑒于我們決定放緩1βDRAM的生產速度，我們預計我們的1γ技術將于2025年推出，Micron表示同樣，我們將延遲232層3D NAND內存之外的下一個NAND節點，以滿足新的需求前景和所需的供應增長
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