，瑞薩電子宣布推出新一代Si—IGBT器件——該產品以更小的尺寸帶來更低的功耗針對下一代電動汽車逆變器的應用，AE5 IGBT產品將于2023年上半年在日本Nako的瑞薩工廠的200mm和300mm晶圓線上量產此外，瑞薩將從2024年上半年開始增加其位于日本嘉福的新型功率半導體器件300mm晶圓廠的產量，以滿足市場對功率半導體產品日益增長的需求
與當前一代AE4產品相比，IGBT的硅基AE5工藝可降低10%的功率損耗這項節能技術將幫助電動汽車開發商節省電池電量，增加行駛里程新產品在保持高魯棒性的同時，體積也縮小了10%左右這種新的瑞薩設備通過在低功耗和高魯棒性之間達到最佳平衡，達到了IGBT行業的性能水平這種IGBT最大限度地減少了IGBT之間的參數變化，并在IGBT并行運行時帶來了穩定性，從而顯著提高了模塊的性能和安全性這些特性為工程師提供了更大的靈活性，有助于他們設計出高性能的小型逆變器
在電動車輛中，驅動車輛的電機由逆變器控制由于逆變器將DC轉換為電動汽車電機所需的交流電，因此IGBT等開關器件對于最小化電動汽車的功耗至關重要為了幫助開發人員，瑞薩推出了xEV逆變器參考解決方案該硬件參考設計結合了IGBT，微控制器，電源管理IC，柵極驅動器IC和快速恢復二極管瑞薩還提供xEV逆變器套件作為參考設計的硬件實現此外，瑞薩還推出了電機參數校準工具，以及xEV變頻器的應用模型和軟件，將電機控制的應用模型與實例軟件相結合這些工具和支持程序旨在幫助用戶簡化他們的軟件開發瑞薩還計劃將新一代IGBT添加到這些硬件和軟件開發套件中，以便在更小的空間內實現更高的能效和性能
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