據(jù)聯(lián)合報(bào)報(bào)道，臺(tái)積電3納米芯片研發(fā)近期獲得突破，該公司決定8月以第2版3納米制程工藝投產(chǎn)。
報(bào)道稱，一度因開發(fā)時(shí)程延誤的臺(tái)積電3nm制程近期獲得重大突破，延誤曾導(dǎo)致蘋果公司新一代處理器仍采用5nm加強(qiáng)版N4P臺(tái)積電決定今年率先量產(chǎn)第二版3nm 制程N(yùn)3B，將于今年8月于新竹12廠研發(fā)中心第八期工廠及南科18廠 P5廠同步投片，正式以鰭式場(chǎng)效晶體管架構(gòu)，對(duì)決三星的環(huán)繞閘極制程
臺(tái)積電的3nm 制造工藝仍將在今年晚些時(shí)候投入生產(chǎn)進(jìn)入生產(chǎn)的變體被稱為N3B，Digitims 預(yù)計(jì)初始產(chǎn)量將在每月4萬至5萬片之間N3B之后，很快就會(huì)有一個(gè)被稱為N3E的高級(jí)變體，預(yù)計(jì)將在2023年投入生產(chǎn)
而產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息還顯示，芯片廠商英特爾的高管，將在本月中旬到訪臺(tái)積電，洽談3nm工藝芯片的代工事宜。 鄭重聲明：此文內(nèi)容為本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載企業(yè)宣傳資訊，目的在于傳播更多信息，與本站立場(chǎng)無關(guān)。僅供讀者參考，并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。
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